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VMM 90-09F
16
100000
V GS
V
12
V DS = 500 V
I D = 45 A
I G = 40 mA
C
pF
10000
f = 1MHz
C iss
8
C oss
4
0
1000
100
C rss
0
200
400
600
800
1000 1200
Q g
nC
0
5
10
15
20
25
V DS
30
35
V
I D
Fig. 7 Typical turn-on gate charge characteristics
200
A
160
120
I D
100
A
80
60
Fig. 8 Typical capacitances
80
40
T J = 125°C
T J = 25°C
40
20
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
0
0
20
40
60
80
100 120 140
°C
V SD
Fig. 9 Typical forward characteristics of diode
0.100
K/W
0.010
R thJC
0.001
T C
Fig. 10 Continuous drain current
0.001
0.01
0.1
1
s
10
t
Fig. 11 Transient thermal resistance
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2005 IXYS All rights reserved
4-4
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